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元件参数资料
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参数目录39668
> STP9NK65Z MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220
型号:
STP9NK65Z
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STP9NK65Z PDF
其它有关文件
STP9NK65Z View All Specifications
标准包装
50
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.2 欧姆 @ 3.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
41nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1145pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
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